Ancho de banda vs. IOPS vs. eficiencia: Samsung desarrolla tres nuevos tipos de almacenamiento NAND para aplicaciones de IA
Basándose en fuentes del sector, la publicación tecnológica surcoreana Zdnet informa de que Samsung Electronics está desarrollando tres nuevos sistemas de almacenamiento NAND específicos para distintas aplicaciones. Hasta ahora, Samsung solo ha anunciado oficialmente la primera variante, zNAND-O, pero, según Zdnet, la compañía tiene otros dos tipos en desarrollo. Estas son las tres variantes:
zNAND-O – Eficiencia para la IA en el dispositivo
Este tipo de memoria está diseñado específicamente para aplicaciones de IA locales. Para acortar las rutas de datos y mejorar la velocidad y la eficiencia energética, los chips NAND se apilan en cuatro u ocho capas y se conectan mediante conexiones TSV (vías a través del silicio). En este caso, el rendimiento es algo menos importante que la eficiencia, ya que las aplicaciones de IA están pensadas para ejecutarse localmente consumiendo la menor cantidad de energía posible.
zNAND-T – Máximo ancho de banda de datos
Esta variante está orientada más a centros de datos de IA de alto rendimiento, por lo que la memoria flash está diseñada para manejar cantidades especialmente grandes de datos por unidad de tiempo. Un término clave aquí es High Bandwidth Flash (HBF). En última instancia, el objetivo es transferir grandes volúmenes de datos lo más rápido posible.
zNAND-I – Tasas de operaciones de entrada/salida excepcionalmente altas
Esta variante se centra en cifras de IOPS especialmente altas, es decir, operaciones de entrada/salida por segundo. Esto es especialmente importante para la inferencia de IA, donde es necesario procesar rápidamente una gran cantidad de accesos a pequeños volúmenes de datos.
Hasta ahora, solo zNAND-O se ha presentado públicamente. Los otros dos sistemas no se han confirmado oficialmente y aún se encuentran en las primeras etapas de desarrollo.
Con esta iniciativa, Samsung sigue la estrategia de su competidor SK Hynix, que también está desarrollando tres tipos especializados de NAND. A largo plazo, este enfoque podría intensificar la competencia en el mercado del almacenamiento para IA y ampliar el papel de la memoria flash NAND más allá de las aplicaciones tradicionales de las SSD.
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