Intel y Cadence refuerzan su colaboración para acelerar el diseño de SoC en los nodos de proceso de vanguardia 18A y más allá

De acuerdo con la información facilitada por Intel en su reciente comunicado de prensa https://www.intel.com/content/www/us/en/newsroom/news/intel-cadence-expand-partnership-soc-design.htmlintel Foundry Services (IFS) y Cadence Design Systems Inc. han anunciado un acuerdo estratégico plurianual para desarrollar conjuntamente propiedad intelectual (IP) personalizada y técnicas de optimización para la tecnología de proceso 18A de Intel. Esta tecnología incorpora transistores RibbonFET gate-all-around y PowerVia backside power delivery.

La colaboración pretende agilizar los proyectos de sistema en chip (SoC), centrándose en la tecnología de proceso Intel 18A y posteriores. Mediante la integración de tecnologías avanzadas de transistores y suministro de energía, la asociación pretende mejorar el rendimiento, la eficiencia energética y el diseño general de los chips. Dirigida a segmentos de mercado como la inteligencia artificial/aprendizaje automático, la informática de alto rendimiento y la informática móvil de gama alta, la colaboración pretende abordar la demanda de estándares IP avanzados para maximizar los beneficios de las tecnologías avanzadas de envasado y proceso de silicio.

Según Stuart Pann, vicepresidente senior de Intel y director general de Intel Foundry Services (IFS), se espera que la ampliación de la colaboración con Cadence refuerce el ecosistema de IP para los clientes de IFS. Pann destacó el potencial de aprovechamiento de las soluciones de diseño de Cadence para facilitar el desarrollo de SoC de gran volumen, alto rendimiento y eficiencia energética en las tecnologías de proceso de Intel.

La cartera de Cadence incluye protocolos avanzados de memoria, PCI Express y UCI Express, que se espera permitan diseños escalables y de alto rendimiento. Se prevé que estos diseños aceleren el tiempo de comercialización y aprovechen las avanzadas tecnologías de silicio y las capacidades de empaquetado 3D-IC de IFS.

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