Los chips de 2 nm de Samsung Foundry entrarán en producción masiva en 2025

A principios del año pasado, Samsung confirmó su AP móvil estrella para 2025, el Exynos 2500se fabricaría en Nodo 3GAP de Samsung Foundry. Se trata de la segunda iteración del a menudo olvidado nodo 3GAA, que quedó relegado a la fabricación de ASIC para la minería de criptodivisas. Un nuevo informe de Business Korea afirma que la empresa va camino de iniciar la producción en masa de su nodo de 2 nm (SF2) el año que viene.

Samsung Foundy revelará más detalles sobre SF 2 en el Simposio VLSI (Integración a Muy Gran Escala) que se celebrará a finales de este año. Se utilizará para desarrollar la próxima CPU Cortex-X6 de Arm. Incluso Qualcomm podría echar el ojo a alguna capacidad para su Snapdragon 8 Gen 5 para Galaxy SoC. Por supuesto, Samsung lo utilizará sin duda para sus propios productos Exynos, y los chips de IA de Firma japonesa PFN.

Será interesante ver cómo se enfrenta a los nodos de 2 nm de TSMC y 18A de Intel, ambos programados para entrar en producción en masa más o menos al mismo tiempo. La competencia será reñida esta vez, ya que tanto Intel (RibbonFET) y TSMC (Nanosheets) cuentan con sus propias versiones de transistores con puerta de entrada, algo que Samsung logró con MBCFET en 2022.

Además, el SF2 podría ser el primer nodo de Samsung Foundry en introducir la entrega de potencia trasera, que también estará presente en Intel 18A (PowerVia) y TSMC N2P. Para más información sobre cómo funciona la entrega de potencia trasera, consulte este excelente explicativo de High Yield en YouTube.