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Los rendimientos de 2 nm de Samsung Foundry mejoran notablemente con algunas salvedades importantes

El rendimiento de la fundición de 2 nm de Samsung ha mejorado notablemente (fuente de la imagen: Samsung)
El rendimiento de la fundición de 2 nm de Samsung ha mejorado notablemente (fuente de la imagen: Samsung)
Un nuevo informe de los medios surcoreanos afirma que el nodo de 2 nm de Samsung Foundry tiene unos rendimientos mucho mejores de lo que se había informado anteriormente. Es casi viable para la producción en masa y se utilizará para fabricar los chips Exynos 2600 de la serie Galaxy S26 del próximo año.

A diferencia de TSMC, que ya ha superado el 60% de rendimiento en su nodo N2 de clase 2 nm, Samsung Foundry aún no ha logrado ese codiciado hito. Sin embargo, un nuevo informe del medio surcoreano Munhwa afirma que el incipiente fabricante de chips está cerca, con rendimientos que ahora se sitúan en el rango del 40-50%. Esta cifra es notablemente superior a la cifra estimada del 30% comunicada en febrero. Los rendimientos, por sí mismos, no tienen importancia sin conocer el tamaño de la matriz del chip en cuestión, pero en este caso, podría rondar el de un SoC de smartphone (~150 mm2).

Esto es un buen augurio para el Exynos 2600que está previsto que impulse el Galaxy S26Galaxy S26+ y probablemente incluso el Galaxy S26 Ultra el año que viene. Además, el Snapdragon 8 Elite 2 para Galaxy también se rumorea que se fabricará en el mismo nodo, pero su lanzamiento no está previsto hasta el segundo semestre de 2026, presumiblemente junto con el Galaxy Z Fold 8 y el Galaxy Z Flip 8.

Dicho esto, el filtrador de X y analista de semiconductores Jukanlosreve afirma que este aumento del rendimiento ha tenido un precio. Al parecer, Samsung ha tenido que comprometer el rendimiento para conseguir chips que funcionen. Esto significa que el SF2 quedará, una vez más, por detrás del nodo N2 de TSMC en términos de rendimiento bruto. Esto podría dar lugar a una gran disparidad de rendimiento entre el Snapdragon 8 Elite 2 (N3P de TSMC) y el Snapdragon 8 Elite 2 para Galaxy.

Para empeorar las cosas, Samsung tuvo una breve ventaja con su nodo de 3 nm basado en GAAFET, pero ya no es así con el de 2 nm porque el N2 utiliza Nanosheets, que es fundamentalmente la misma tecnología. Quizá la situación mejore con su sucesor de próxima generación, el SF2P, que se anunciará como su "verdadero" nodo de 2 nm, según Jukanlosreve.

Fuente(s)

Munhwa (en coreano)

Jukanlosreve en X

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Anil Ganti, 2025-05-10 (Update: 2025-05-10)