Samsung presenta la primera DRAM DDR5 de 12 nm con velocidades de hasta 7,2 Gbps

En marzo, Samsung presentó una solución DRAM LPDDR5X de 7,5 Gbps, pero en septiembre subió el listón con la DRAM LPDDR5X más rápida del sector. Aunque el récord de 8,5 Gbps establecido entonces no fue superado por la nueva solución de hoy, la velocidad de 7,2 Gbps anunciada por Samsung para los nuevos chips no es nada de lo que avergonzarse. La productividad de las obleas ha aumentado en un 20%, ya que la primera clase de 12 nm de la industria viene con la mayor densidad de troqueles hasta la fecha.

Según Jooyoung Lee, Vicepresidente Ejecutivo de Productos y Tecnología DRAM de Samsung Electronics, la DRAM de 12 nm "será un elemento clave para impulsar la adopción de la DRAM DDR5 en todo el mercado", y se espera que esta tecnología "sirva de base para operaciones más sostenibles en áreas como la informática de nueva generación, los centros de datos y los sistemas impulsados por la IA", al ofrecer el máximo rendimiento y eficiencia energética.

Aunque el inicio de la producción en masa está previsto para 2023, Samsung ya ha anunciado la finalización de una importante etapa que precede al lanzamiento al mercado de productos basados en DDR5 de 12 nm, a saber, la evaluación de la compatibilidad con las plataformas Zen de AMD. Además del aumento de productividad de las obleas mencionado anteriormente, la DRAM de 12 nm también viene acompañada de una mayor eficiencia. Según Samsung, esta solución consume hasta un 23% menos de energía que la generación anterior.

Samsung no ha revelado un calendario exacto, pero basándose en la información revelada hasta ahora, es muy probable que los primeros productos DRAM de clase 12 nm lleguen al mercado a mediados de 2023.

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