Según los informes, el rendimiento de la fundición Samsung de 3 nm se sitúa en "un rango medio-alto del 50%"

Se rumorea que Samsung Foundry hará su gran regreso al espacio de la fabricación de semiconductores con su próximo nodo 3GAP. Grandes de la industria como IBM, Nvidia y Qualcomm se han apuntado a él, probablemente debido a los problemas de capacidad de TSMC. Sin embargo, un informe (traducido automáticamente) del medio de noticias surcoreano DealSite.co.kr afirma que el fabricante de chips aún tiene algunos problemas que limar.

Los rendimientos del nodo de 3 nm (3 GAA/3 GAP sin especificar) de Samsung Foundry siguen estando supuestamente en el "rango medio-alto del 50%". Coincide con un rumor anterior que lo situaba en torno al 60%. Los analistas del sector afirman que el "método de proceso GAA aún no es estable", lo que explica las mediocres cifras. Afortunadamente, a su nodo de 4 nm le está yendo mejor, con un rendimiento en torno al 75%. Son buenas noticias para Google, ya que su Tensor G4 SoC para la serie Pixel 9 se fabricará en Samsung 4LPP+.

No obstante, Samsung tendrá que mejorar los rendimientos si espera competir con TSMC e Intel Foundry en el futuro.Samsung debe tener éxito con su nodo 3 GAP ya que se utilizará para fabricar el Exynos 2500del año que viene, un chip que se ha anunciado como el regreso de Samsung al dominio de los AP móviles. Sentará las bases para su sucesor (SF2), que supuestamente será utilizado por Qualcomm para fabricar su Snapdragon 8 Gen 5 para Galaxy SoC y por Arm para su Núcleo de CPU Cortex-X.

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