Huawei estaría trabajando en dos chips de 3 nm diferentes

Si los rumores que llegan de China son ciertos, SMIC ha fabricado con éxito su primer chip de 5 nm para Huawei: el Kirin X90. Logró esta hazaña sin las vanguardistas máquinas EUV de ASML. La empresa tuvo que utilizar sus homólogas menos eficientes basadas en DUV debido a las restricciones comerciales. Un nuevo informe de UDN habla de los planes de futuro de Huawei para su negocio de semiconductores.

El gigante tecnológico chino ha comenzado a investigar un nodo de 3 nm basado en GAA FET que se espera que esté listo en algún momento de 2026. Sin contratiempos en el desarrollo, lo ideal sería que la producción en masa comenzara en 2027. Alternativamente, también se están investigando chips de 3 nm basados en nanotubos de carbono, pero no se sabe hasta qué punto han progresado.

Sin embargo, los rendimientos seguirán siendo un problema. Se dice que el mencionado nodo de 5 nm se sitúa en un abismal 20%, y esa cifra sólo bajará en 3 nm debido a la complejidad adicional que implica el multipatterning DUV. Pero eso podría cambiar si China se pasa de algún modo a la EUV como TSMC, Samsung e Intel Foundry.

China ya ha empezado a trabajar en máquinas EUV autóctonas. El usuario de X @zephyr_z9que está familiarizado con la escena china de los semiconductores, afirma que Huawei está probando activamente la tecnología EUV, que supuestamente estará lista para la producción en masa en 2026. Sin embargo, el ex ingeniero de ASML @lithos_graphein dice que eso es poco probable porque "el foso de ASML es enorme e incontestable"

No obstante, incluso si China tuviera listas herramientas EUV, no las revelaría públicamente. Según se informa, 37.000 millones de dólares se han destinado al desarrollo de EUV y cualquier avance se mantendrá en secreto, como ocurrió con el Kirin 9010 y sus sucesores.