Rumor | La producción en masa de GAAFET de 3nm de Samsung comenzará como muy pronto a finales de junio de 2022

Samsung se dice que ha estado por detrás de TSMC en términos de conseguir nuevos chips basados en 3nm de 3nm a clientes potenciales como Qualcomm o AMD. Sin embargo, según los últimos rumores, podría ser al revés, ya que el gigante surcoreano podría estar en condiciones de lanzar oficialmente los nodos de producción necesarios tan pronto como la próxima semana (del 27 de junio al 3 de julio de 2022).

El vicepresidente de la división de electrónica de Samsung, Lee Jae-yong, se ha puesto en contacto con https://en.yna.co.kr/view/AEN20220622002900320 a la empresa de equipos de fabricación de chips ASML en un intento de estrechar lazos con este socio potencialmente crucial antes de los planes para ampliar la producción de obleas de 3nm utilizando el sistema de ultravioleta extremo (EUV) de la empresa holandesa hasta alcanzar una capacidad de producción masiva.

Además, Samsung ha presentado a Joe Biden en https://en.yna.co.kr/view/AEN20220622002900320 Joe Biden una demostración de 3nm durante la visita oficial del presidente estadounidense a Corea del Sur en mayo de 2022. Al parecer, la empresa tiene la intención de fabricar sus chips de próxima generación (que podrían constituir la base de procesadores como el rumoreado Apple M2 Pro y Ryzen 8000 ) basados en la estructura MBCFET de https://news.samsung.com/global/editorial-making-semiconductor-history-contextualizing-samsungs-latest-transistor-technology de la estructura MBCFET.

El "Transistor de efecto de campo de canal múltiple" es la versión patentada por Samsung del GAAFETy está pensado para mejorar el más tradicional FinFET en el sentido de que el canal (o los canales, como en los ejemplos más recientes) de silicio de cada transistor está rodeado de material de electrodo de puerta en los cuatro lados

Esto (según de Samsungal menos) permite la reducción generacional de la tensión operativa, lo que conlleva un aumento proporcional de la la eficiencia energética y el rendimiento del semiconductor. En el caso del MBCFET, los canales también pueden ser más anchos dentro del material de la puerta, gracias a un revolucionario proceso de producción de nanohojas (en lugar de nanocables).

Esto debería permitir (en teoría) una mayor superficie de los canales en contacto con la puerta y, por tanto, una mayor exposición a la corriente TSMCpor otro lado, está previsto que siga con FinFET para sus chips de 3nm

Sin embargo, sigue siendo más del 50% de la cuota de mercado de los semiconductores de la cuota de mercado de semiconductores en 2022, frente al ~16% de Samsung. Esta última podría esperar que su actual impulso de inversión de hasta 150.000 millones de dólares de inversión puede ayudarle a volver a la cima para cuando los 3nm se conviertan en el estándar de gama alta del hardware de procesamiento.