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Sandisk presenta la unidad SSD UltraQLC 256TB NVMe U.2 para centros de datos

La unidad SSD Sandisk UltraQLC 256TB NVMe U.2 aprovecha la tecnología de memoria flash 3D Kioxia BiCS FLASH para lograr su gran capacidad. (Fuente de la imagen: Sandisk)
La unidad SSD Sandisk UltraQLC 256TB NVMe U.2 aprovecha la tecnología de memoria flash 3D Kioxia BiCS FLASH para lograr su gran capacidad. (Fuente de la imagen: Sandisk)
Sandisk ha presentado la unidad SSD UltraQLC 256TB NVMe U.2, diseñada para el almacenamiento masivo de datos en centros de datos y clústeres de entrenamiento de IA. Construida utilizando la arquitectura NAND BiCS QLC de 8ª generación, ofrece un rendimiento más rápido con un menor consumo de energía.

Sandisk ha presentado la unidad SSD UltraQLC 256TB NVMe U.2 para clientes empresariales, entre los que se incluyen proveedores de servicios en la nube y superclústeres de entrenamiento de IA. Estará disponible a principios de 2026.

En la actualidad, muchas empresas almacenan información corporativa, ejecutan PC virtuales con Windows, transmiten vídeos a sus suscriptores y entrenan la IA utilizando centros de datos y proveedores de almacenamiento en la nube. La demanda mundial combinada de almacenamiento supera desde hace tiempo el terabyte (TB), el petabyte (1.024 TB) e incluso un solo zettabyte (1021 bytes). Al mismo tiempo, la demanda de energía ha aumentado con las crecientes necesidades de almacenamiento.

La unidad SSD UltraQLC aprovecha la tecnología de memoria flash BiCS FLASH 3D de octava generación de Kioxia para reducir el consumo de energía al tiempo que aumenta la densidad de información que puede almacenarse en cada unidad. En comparación con la generación anterior de memoria BiCS FLASH, la última generación aumenta la densidad en un 50%, la velocidad de escritura en un 20% y la velocidad de lectura en un 10%, al tiempo que disminuye el consumo de energía de escritura en un 30%.

Las memorias SSD modernas suelen utilizar el apilamiento multicapa de células de memoria para aumentar la cantidad de datos almacenados en un espacio determinado. La memoria BiCS de 8ª generación apila 218 capas de células de memoria. Los circuitos CMOS que controlan estas células se fabrican en una oblea separada debido a su sensibilidad al calor, y después se unen a la oblea de células de memoria 3D mediante la tecnología CMOS Directly Bonded to Array (CBA) de Kioxia.

Los lectores pueden ver los productos SSD de consumo de la empresa en la tienda de Sandisk en Amazon.

La unidad SSD Sandisk UltraQLC 256TB NVMe U.2 aprovecha la tecnología NAND BiCS QLC CBA de 8ª generación de Kioxia para aumentar la densidad de memoria y el rendimiento. (Fuente de la imagen: Kioxia)
La unidad SSD Sandisk UltraQLC 256TB NVMe U.2 aprovecha la tecnología NAND BiCS QLC CBA de 8ª generación de Kioxia para aumentar la densidad de memoria y el rendimiento. (Fuente de la imagen: Kioxia)
Las células de memoria (por encima de la línea rosa) y los circuitos de control CMOS (por debajo) se fabrican en dos obleas diferentes y luego se unen mediante la tecnología CMOS Directly Bonded to Array (CBA) de Kioxa. (Fuente de la imagen: Kioxia)
Las células de memoria (por encima de la línea rosa) y los circuitos de control CMOS (por debajo) se fabrican en dos obleas diferentes y luego se unen mediante la tecnología CMOS Directly Bonded to Array (CBA) de Kioxa. (Fuente de la imagen: Kioxia)
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David Chien, 2025-08- 9 (Update: 2025-08- 9)