Yangtze Memory Technologies Corp. (YMTC), el principal fabricante chino de flash NAND, planea al parecer introducirse en el mercado de las DRAM. La empresa pretende asociarse con ChangXin Memory Technologies (CXMT) para centrarse en la memoria de gran ancho de banda (HBM) para aceleradores de IA. De seguir adelante, la asociación uniría a los principales actores de NAND y DRAM de China. El movimiento refleja el creciente papel central de la HBM en la industria.
Los cambios en la política estadounidense añaden complejidad. La normativa de diciembre de 2024 de la Oficina de Industria y Seguridad añadió controles explícitos sobre el HBM y restringió aún más el acceso a las herramientas de fabricación de chips, lo que complica el impulso de China para ampliar la memoria avanzada. La concesión de licencias en torno a las fábricas chinas también se ha vuelto más granular; por ejemplo, los informes dicen que la planta de Nanjing de TSMC perdió el estatus de vía rápida. En consecuencia, las normas de exportación condicionan ahora directamente el calendario y el alcance de cualquier esfuerzo local en materia de HBM.
Sigue habiendo lagunas de capacidad. Según los informes, CXMT ha producido HBM2 y avanza rápidamente hacia HBM3, y fuentes chinas sugieren que la producción podría comenzar entre 2026 y 2027. Los analistas siguen situando a CXMT unos años por detrás de sus competidores coreanos, aunque el progreso se está acelerando. La brecha es significativa, pero China podría construir un sólido suministro local si el envasado y la integración mejoran al mismo ritmo.
YMTC aporta su experiencia en unión híbrida, pero no en DRAM. Su arquitectura Xtacking utiliza la unión de oblea a oblea y se ha ganado críticas positivas de terceros. El enfoque se adapta a las HBM a medida que aumentan las alturas de las pilas y la gestión del calor adquiere importancia. Un ecosistema local de embalaje está tomando forma. CXMT y Wuhan Xinxin están desarrollando el empaquetado de HBM, y Tongfu Microelectronics ha comenzado el ensamblaje. El embalaje avanzado, que conecta la memoria a los procesadores, se sitúa ahora en el núcleo de la fabricación de HBM.
Otros informes afirman que YMTC planea comprar equipos para la investigación y el desarrollo de DRAM. La empresa podría asociarse con CXMT para desarrollar la próxima generación de DRAM para HBM y ampliar la producción a corto plazo. Los expertos ven la posible asociación como una apuesta a largo plazo para competir con las empresas surcoreanas. El acceso limitado a las herramientas y los requisitos de cualificación de los clientes probablemente empujarán a los primeros productos chinos de HBM hacia los clientes nacionales.
Fuente(s)
DigiTimes (en inglés)
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