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Debut del almacenamiento Micron UFS 4.0 para los smartphones insignia de la próxima generación

Micron presenta sus últimos módulos UFS. (Fuente: Micron)
Micron presenta sus últimos módulos UFS. (Fuente: Micron)
Micron ha lanzado al mercado de memorias para dispositivos móviles un nuevo almacenamiento flash con el estándar UFS 4.0 actualizado. El fabricante afirma que puede duplicar la velocidad de su predecesor y consumir hasta un 25% menos de energía. Su NAND 3D "avanzada" está respaldada para ayudar a fabricar smartphones premium de nueva generación de hasta 1 TB.

Micron lanza abiertamente sus últimos módulos flash a los sucesores de dispositivos como el OnePlus 11xiaomi 13 Ultra y Motorola Edge Plus 2023ya que se ajustan a la actualización UFS 4.0 actualizados para su categoría. Esta "próxima gran novedad en almacenamiento móvil" incorpora la última tecnología de los fabricantes de equipos originales preparada para el mercado, con unas especificaciones que podrían hacer volar por los aires a su generación anterior.

El paso a UFS 4.0 viene acompañado del uso de 232 capas nAND 3D de 232 capas, frente a los 176 capas del UFS 3.1 de Micron. La actualización está respaldada para alcanzar hasta el doble de velocidad que su predecesora, con velocidades de escritura y lectura secuenciales de hasta 4.000 megabytes por segundo (MB/s) y 4.300 MB/s respectivamente.

En consecuencia, el fabricante afirma que su memoria UFS 4.0 "ofrece el mejor rendimiento de su clase", siempre y cuando la próxima generación de smartphones de gama alta la adopte. Estos buques insignia podrían tener hasta 1 TB de esta memoria flash "líder en su clase".

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Deirdre O'Donnell, 2023-06-25 (Update: 2023-06-25)