El CEO de SK Hynix propone la fusión de CPU y RAM

Los estándares de memoria RAM están pasando a la era DDR5, que aporta bastantes mejoras y un aumento considerable del rendimiento en comparación con la DDR4. Sin embargo, la DDR y su pariente más rápida, la GDDR, no son realmente tan rápidas en comparación con el estándar HBM (memoria de gran ancho de banda), que, según el director general de SK Hynix, Seok-Hee Lee, podría ser la base de la fusión natural entre las CPU y la RAM.

En el Simposio Internacional de Física de la Fiabilidad del Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos, Seok-Hee Lee presentó su visión de un estándar de memoria más rápido que requeriría una "convergencia de la memoria y la lógica" Lee presenta una evolución más gradual a partir de la HBM

Al igual que la velocidad se incrementó en la memoria de gran ancho de banda aumentando el número de canales entre la CPU y la memoria, la velocidad aumentará aún más en la memoria de procesamiento cercana (PNM), donde tanto la CPU como la memoria existen dentro de un único módulo. La velocidad aumentará aún más en el Procesamiento en Memoria (PIM), donde la CPU y la memoria existen dentro de un único paquete. Por último, la velocidad aumentará aún más en Computing in Memory (CIM), donde la CPU y la memoria están integradas dentro de una única matriz, para ofrecer un sistema informático de alto rendimiento.

SK Hynix es actualmente el segundo mayor fabricante de memoria del mundo, pero no fabrica otro tipo de chips como las CPU. Por eso, el CEO Lee pide una colaboración entre los gigantes de los semiconductores para formar un ecosistema que pueda sostener los nuevos híbridos de CPU+RAM: "Sólo estableciendo una asociación estratégica para la Innovación Abierta basada en la colaboración y el intercambio con clientes, proveedores, academia y gobierno, podremos dar forma a una nueva era, que persiga tanto el valor económico como el social."

Lee también presentó un nuevo estándar llamado Compute Express Link (CXL) que podría complementar el bus PCIe. La memoria CXL es capaz de mover los datos de forma rápida y más eficiente entre la CPU y los aceleradores gráficos/de computación o las interfaces de red inteligentes. "La memoria CXL se está preparando como una solución que no sólo amplía el ancho de banda y la capacidad, sino que también hace realidad el valor de una memoria persistente, [...] una solución para reducir la brecha entre el rendimiento de la memoria y los requisitos de la industria"

Por último, Lee se refirió a los esfuerzos que se están realizando para mejorar los chips de memoria NAND integrados en las soluciones de almacenamiento SSD. Con el salto a los nodos de 10 nm e inferiores, SK Hynix podría llegar a producir chips NAND de 600 capas, lo que debería aumentar en gran medida la capacidad de almacenamiento y la velocidad de transferencia de datos con respecto al tope actual de 176 capas.

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