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La rampa HBM3E de Samsung supera la demanda, presionando precios y márgenes

Samsung advierte de un descenso de los precios de las HBM3E, ya que la oferta se adelanta a la demanda (Fuente de la imagen: Samsung)
Samsung advierte de un descenso de los precios de las HBM3E, ya que la oferta se adelanta a la demanda (Fuente de la imagen: Samsung)
Samsung advirtió a los inversores de que su rápida expansión de la producción de HBM3E de quinta generación está superando la demanda del mercado final, lo que probablemente presionará a la baja los precios.

Samsung dijo a los inversores que la producción de HBM3E de quinta generación está creciendo más rápido que la demanda del mercado final, un desajuste que la empresa espera que "repercuta de momento en los precios del mercado"

La dirección añadió que el aumento de los precios contractuales de las memorias DRAM convencionales erosionará en el segundo semestre la diferencia de rentabilidad que antes existía entre las memorias HBM3E y las convencionales, lo que limitará el aumento de los márgenes aunque crezcan los volúmenes.

La advertencia llega justo cuando clientes como Nvidia y AMD se decantan por las HBM3E de 12 pilas para los aceleradores de IA de próxima generación. Los competidores SK Hynix y Micron ya están produciendo en masa la variante más densa, lo que aumenta el riesgo de que se acumulen existencias antes de que se materialice plenamente la oleada de demanda prevista.

Internamente, la división de semiconductores de Samsung se encuentra bajo presión: el beneficio operativo trimestral se desplomó un 94% interanual hasta los 400.000 millones de wones coreanos (287 millones de dólares), ya que los controles a la exportación y las correcciones de inventario lastraron los resultados. Para revertir la caída, la empresa está racionalizando los costes de producción de HBM3E en un intento de recuperar el negocio de Nvidia que se ha ido en gran parte a SK Hynix.

Los ingresos por memorias crecieron un 11% con respecto al primer trimestre gracias al aumento de los envíos de HBM3E, y Samsung tiene previsto aumentar la producción de DDR5 de 128 GB, GDDR7 de 24 GB y V-NAND de 8 generaciones hasta finales de año. Un acuerdo de 16.500 millones de dólares para fabricar la próxima generación de Tesla Chips AI6 en Texas debería estabilizar aún más la utilización de las fundiciones, aunque los nuevos aranceles estadounidenses del 15% sobre los productos coreanos enturbian las perspectivas de la demanda.

Los conocedores del sector señalan que Samsung ha planteado concesiones de precios. Al mismo tiempo, Nvidia valida sus pilas de 12 capas, lo que indica que el liderazgo del mercado en el próximo ciclo puede depender más del coste y el rendimiento que del ancho de banda. En caso de que Samsung consiga una producción de alto rendimiento y bajo coste antes que sus rivales, la empresa podría recuperar cuota en el lucrativo segmento de la memoria de IA; sin embargo, cualquier paso en falso podría reforzar el mismo exceso de oferta que ahora amenaza los precios del HBM3E.

Fuente(s)

ZDNET (en coreano)

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Nathan Ali, 2025-08- 2 (Update: 2025-08- 2)