Micron anuncia que su última DRAM "1-alfa" está lista para ser enviada

Micron, OEM también responsable de la marca Crucial, ha estrenado una nueva tecnología de proceso con la que fabricar sus productos DRAM del futuro. La compañía lo denomina nodo 1α para denotar su condición de cuarta generación de 10nm, tras haber agotado hasta la fecha las denominaciones 1x, 1y y 1z.

Este nuevo proceso, por tanto, es el último desarrollo de Micron en materia de memoria que puede tener un half-pitch (o 50% de la distancia entre cada celda por chip DRAM) de entre 10 y 19nm. Esta especificación de alta densidad se consigue mediante litografía.

Micron ha optado por fabricar su últimaDRAM de 1α mediante fotolitografía computacional en lugar de la técnica de ultravioleta extremo (EUV), favorecida por otras empresas como Samsung, afirmando que esta técnicaaún no estaba "preparada para elprime time"

Al parecer, el alcance de la longitud de onda de 32 nm de la EUV era demasiado corto para el método de fotomarcaje elegido por Micron (mediante el cual la luz "graba" los diminutos patrones que forman los transistores en una oblea de silicio a través de una "plantilla" de cuarzo), por lo que sus ingenieros de procesos optaron por la litografía de 193 nm.

Esto, según afirma la empresa, ha dado lugar a chips de 8 a 16 gigabits (Gb) con un aumento de la densidad del 40% en comparación con los del nodo 1z anterior, así como una mejora general de la eficiencia energética y la fiabilidad

Micron afirma que el proceso dará lugar a nuevos productos LPDDR5 con el "mejorrendimiento de LPDRAM de su clase" necesario para los dispositivos móviles de alta gama. También se aplicará a gran parte del resto de su próxima gama de productos, incluidas las soluciones LPDDR4 y DDR4 para servidores del fabricante.

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