No interprete el plan de SK hynix de invertir 54,3 billones de wones en una fábrica como un alivio en el precio de la memoria RAM

El consejo de administración de SK hynix aprobó el 7 de agosto una inversión de aproximadamente 54,3 billones de wones (~38 600 millones de dólares) para dos nuevas fábricas: 35,2 billones de wones (aproximadamente 25 000 millones de dólares) para Yongin «Y2» y 19,1 billones de wones (aproximadamente 13 600 millones de dólares) para Cheongju «M17». Y2 es una planta dedicada a la DRAM, M17 a la NAND, y ambas cifras abarcan únicamente la construcción; el equipamiento para Y2 podría ascender a 120 billones de wones (unos 85 200 millones de dólares), lo que elevaría el total a más de 150 billones de wones (unos 106 500 millones de dólares).

Para cualquiera que haya consultado últimamente los precios de un kit de DDR5 de 32 GB —aproximadamente 600 dólares este mes, frente a los 100 dólares que costaba el mismo kit hace poco—, el instinto natural sería interpretar esto como el final a la vista. Sin embargo, las fechas cuentan una historia totalmente diferente. M17 inaugurará su primera sala limpia en diciembre de 2028 y Y2 en junio de 2029, mientras que Y2 ni siquiera comenzará las obras hasta julio de 2027. La inauguración de una sala limpia marca el inicio de la instalación y la homologación de los equipos; no supone el inicio de los envíos. El hito mucho más cercano es el Y1, cuya finalización está prevista para febrero de 2027, y cuya instalación de equipos tendrá lugar en el segundo trimestre.

Hay una frase concreta del comunicado de SK hynix que reviste aún más importancia que la cifra destacada en el titular. El gigante de los semiconductores afirma que construirá las fábricas según el calendario general, pero que ampliará las salas limpias e instalará los equipos de forma secuencial, adaptándose a las tendencias de la demanda, con el fin de maximizar la eficiencia del capital.

En otras palabras, la empresa está construyendo los edificios con antelación y posponiendo el gasto, mucho mayor, en maquinaria hasta que se confirme la demanda. El Y1 se dividirá en seis salas blancas y se espera que alcance una producción de 360 000 obleas de DRAM al mes para el primer semestre de 2030.

La gama de productos tampoco favorece a los consumidores. La planta Y2 producirá memoria de gran ancho de banda y otros tipos de DRAM de próxima generación, y fue precisamente la asignación de HBM lo que, en primer lugar, desplazó a la DDR5 estándar de las fábricas. Actualmente, SK hynix destina aproximadamente el 30 % de su capacidad de obleas de DRAM a la HBM, y los analistas prevén que esta proporción se acerque al 40 % para 2027.

El propio enfoque de SK hynix es la información más clara en este sentido. La empresa lo denomina una «transformación estructural», y no un superciclo temporal. Citó las previsiones de Omdia, que apuntan a un crecimiento anual del 19 % para la DRAM y la NAND hasta 2030. Lo que esto significa es que el proveedor está tomando los precios actuales como referencia y planificando su producción en consecuencia.