Samsung rompe la barrera de los 16 Gbps con la revelación de HBM4E en la GTC 2026

Samsung utilizó la Nvidia GTC 2026 para presentar un avance de su hoja de ruta de memorias de IA de próxima generación, con la HBM4E haciendo su primera aparición en la feria junto a la recién comercializada HBM4 de la compañía. La compañía dijo que la HBM4 ya está en producción en masa para la plataforma Nvidia Vera Rubin, mientras que la HBM4E se muestra como su sucesora de mayor ancho de banda para las cargas de trabajo del centro de datos de próxima generación.

Samsung sitúa las HBM4 y HBM4E en el centro de su mensaje en la GTC

En el centro del stand de Samsung en la GTC 2026 se encuentra la HBM4, que, según la compañía, ya se está produciendo en masa y está diseñada para La plataforma Vera Rubin de Nvidia. Samsung dijo que la memoria ofrece una velocidad de procesamiento estándar de 11,7 Gbps, por encima de la línea de base de 8 Gbps de la industria que citó, y se puede empujar a 13 Gbps.

La nueva HBM4E es la mayor revelación de cara al futuro. Samsung dijo que está mostrando la pieza por primera vez en la GTC 2026, con objetivos de rendimiento de 16 Gbps por pin y 4,0 TB/s de ancho de banda. La compañía también está mostrando la tecnología híbrida de unión de cobre, que dijo permitirá a las futuras pilas de HBM alcanzar 16 capas o más, al tiempo que reduce la resistencia al calor en más de un 20% en comparación con la unión por compresión térmica.

El anuncio también amplía el terreno de juego de Samsung en la infraestructura de Nvidia

Samsung está utilizando el anuncio de la memoria para posicionarse como un proveedor más amplio para la infraestructura de IA centrada en Nvidia, en lugar de ser sólo un proveedor de HBM. En la sección separada de su stand centrada en Nvidia, Samsung dijo que también está destacando la memoria de servidor SOCAMM2 y el almacenamiento SSD PM1763 diseñado para los sistemas de IA de Nvidia, mientras que el SSD PM1753 se está mostrando como parte de la arquitectura de referencia BlueField-4 STX de Nvidia para la infraestructura de almacenamiento acelerado en Vera Rubin.

Samsung afirmó que SOCAMM2 ya se está produciendo en masa y lo describió como un módulo de memoria de servidor de bajo consumo basado en DRAM y destinado a la infraestructura de IA de próxima generación. Para el almacenamiento, la compañía dijo que PM1763 utiliza PCIe 6.0 para transferencias más rápidas y mayores capacidades, mientras que PM1753 se está lanzando en torno a la eficiencia energética y el rendimiento del sistema para cargas de trabajo de inferencia.

Samsung vincula el lanzamiento a la fábrica de IA y a las ambiciones locales de IA

Más allá de la memoria para centros de datos, Samsung también está utilizando la GTC 2026 para destacar cómo sus operaciones de fabricación y semiconductores se conectan con la pila de software de IA de Nvidia. La compañía dijo que planea utilizar la computación acelerada de Nvidia y las bibliotecas Omniverse para escalar sus esfuerzos de AI Factory y acelerar la fabricación basada en gemelos digitales a través de sus operaciones de memoria, lógica, fundición y empaquetado avanzado.

Samsung también aprovechó el anuncio para hablar del hardware de IA local. En la GTC, la compañía dijo que está mostrando PM9E3 y PM9E1 NAND para Nvidia DGX Spark, junto con la memoria LPDDR5X y LPDDR6 para dispositivos móviles premium y edge-AI. Samsung dijo que LPDDR5X puede alcanzar hasta 25 Gbps por pin con hasta un 15% menos de consumo de energía, mientras que LPDDR6 está dirigida a 30 a 35 Gbps por pin con características añadidas de gestión de energía para futuras cargas de trabajo edge-AI.