SanDisk fabrica los primeros chips de memoria 3D Matrix, con el objetivo de reducir a la mitad el coste por bit de la DRAM

SanDisk ha facilitado una breve pero significativa actualización sobre su memoria experimental 3D Matrix, indicando que ha fabricado los primeros chips de la nueva tecnología de memoria en obleas de silicio estándar de 300 mm y los ha encapsulado para someterlos a nuevas pruebas. Según la empresa, los prototipos ya son capaces de almacenar varios gigabits de datos, y su rendimiento se acerca a las especificaciones previstas para el producto final.

La «3D Matrix Memory» se encuentra en fase de desarrollo desde 2017 como una posible alternativa a la DRAM convencional, pero con una estructura tridimensional fundamentalmente diferente. SanDisk afirma que la tecnología podría llegar a ofrecer un rendimiento similar, al tiempo que proporciona hasta cuatro veces la capacidad de la DRAM. La empresa también tiene como objetivo reducir a la mitad el coste por bit en comparación con la DRAM tradicional.

Los últimos prototipos se basan en un prototipo de prueba desarrollado el año pasado junto con Imec, socio de investigación de SanDisk. Desde entonces, SanDisk ha comenzado a apilar múltiples capas de memoria y a fabricar prototipos en obleas de 300 mm. Los chips ensamblados se están utilizando actualmente para realizar pruebas adicionales. Según la empresa, los experimentos ya han demostrado el funcionamiento de matrices de memoria con una capacidad de varios gigabits. SanDisk afirma asimismo que el nivel de rendimiento ya se acerca mucho a las especificaciones que ha establecido para un posible producto final.

Sin embargo, SanDisk aún no está preparada para hablar de un lanzamiento comercial. El director técnico de SanDisk, Alper Ilkbahar, señaló que la «3D Matrix Memory» sigue siendo un proyecto a largo plazo y que puede pasar bastante tiempo antes de que la tecnología llegue al mercado.

«El proyecto avanza, pero se trata de una iniciativa con un horizonte temporal más amplio. Seguiremos manteniéndoles informados sobre nuestros avances», afirma Alper Ilkbahar.

La última hoja de ruta de SanDisk ofrece pocos detalles sobre lo que vendrá a continuación. Una hoja de ruta anterior había mostrado planes para muestras de 32 a 64 Gbit, aunque no se había facilitado ningún calendario para su llegada.

La última hoja de ruta ofrece pocos detalles sobre lo que vendrá a continuación. Una hoja de ruta anterior había revelado planes para muestras de 32 a 64 Gbit, aunque no se había facilitado ningún calendario para su llegada.

Por el momento, la memoria 3D Matrix sigue siendo más un proyecto de investigación que un sustituto realista de la DRAM en un futuro próximo. No obstante, la capacidad de fabricar prototipos multicapa en obleas estándar de 300 mm, demostrar matrices de memoria de varios gigabits y alcanzar un rendimiento que se aproxima a las especificaciones objetivo de la empresa supone un avance significativo en el esfuerzo de larga duración de SanDisk por desarrollar un nuevo tipo de memoria de alta densidad.

SanDisk también está trabajando en otra tecnología de memoria avanzada, la High Bandwidth Flash (HBF). A diferencia de la 3D Matrix Memory, la HBF no introduce una arquitectura de memoria totalmente nueva. En su lugar, básicamente apila chips NAND convencionales para aumentar el ancho de banda. Ese proyecto se encuentra mucho más cerca de su comercialización. SanDisk afirma que el primer diseño de HBF ha completado su «tape-out» y se espera que las muestras estén disponibles para su validación el próximo año.