Según los informes, SK hynix fusiona la DRAM y la NAND en un paquete unificado de almacenamiento de gran ancho de banda para aumentar el rendimiento de la IA en el dispositivo

Según se informa, SK hynix ha logrado un importante hito con una innovación que podría cambiar la forma en que los dispositivos móviles gestionan la IA. La nueva arquitectura híbrida de la empresa, High-Bandwidth Storage (HBS), fusiona DRAM y NAND, lo que permite mayores velocidades de datos, menor latencia y mayor eficiencia energética.

Según ETNews, SK hynix espera que su nueva tecnología impulse el rendimiento de la IA en los smartphones.

Memoria de nueva generación para dispositivos móviles impulsados por IA

La pieza clave de la última innovación de SK hynix es la tecnología Vertical Wire Fan-Out (VFO). VFO es un método que permite apilar verticalmente hasta 16 capas de DRAM y NAND conectadas en línea recta. Con este proceso, SK hynix puede reducir la pérdida de señal y la distancia de transmisión porque no es necesario el cableado curvo habitual en los encapsulados tradicionales.

El resultado es un paquete HBS con un tiempo de procesamiento de datos más corto y una mayor eficiencia. Esto aporta mejoras en el ancho de banda de los dispositivos móviles, de forma similar a cómo la memoria de alto ancho de banda (HBM) impulsó el rendimiento en las GPU y los servidores de IA.

Más pequeña, más rápida y más fría

Según SK hynix, su nuevo proceso VFO reduce los requisitos de cableado en 4,6 veces. Reduce el consumo de energía en un 5 por ciento y mejora la disipación del calor en un 1,4 por ciento. La empresa surcoreana también ha reducido la altura del embalaje en un 27 por ciento, lo que permite que los dispositivos móviles sean aún más delgados y funcionen a temperaturas más bajas.

SK hynix también ahorra en costes de producción porque el HBS no requiere la fabricación de vías a través del silicio (TSV), que conectan verticalmente los chips apilados taladrando y rellenando agujeros microscópicos a través de las obleas de silicio, a diferencia del HBM. Además, esto ayuda a aumentar el rendimiento, lo que es crucial para escalar la producción.

Llevar el rendimiento de la IA a los chips móviles

Cuando se empareje con el procesador de aplicaciones (AP), el módulo HBS de SK hynix permitirá que los smartphones y las tabletas manejen mejor las cargas de trabajo de IA. La empresa ya ha utilizado el embalaje DRAM basado en VFO en Apple's Vision Pro.