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SK Hynix monta la primera herramienta litográfica EUV de alta AN para producción en masa en la fábrica M16

En la imagen: Memoria flash NAND QLC de SK Hynix (Fuente de la imagen: SK Hynix)
En la imagen: Memoria flash NAND QLC de SK Hynix (Fuente de la imagen: SK Hynix)
SK Hynix ha instalado el sistema High-NA EUV de ASML en su fábrica M16 de Corea del Sur, la primera herramienta de este tipo montada para la producción en serie. El avance permite unas características más pequeñas, una mayor densidad de DRAM y refuerza la ventaja de la empresa sobre Samsung y Micron en la memoria de próxima generación.

SK Hynix ha anunciado que la empresa ha montado el primer sistema litográfico EUV de alta AN de la industria para la producción en serie en su fábrica M16 de Icheon, Corea del Sur. Ejecutivos de I+D y fabricación de SK Hynix, así como el jefe de clientes de SK Hynix de ASML, celebraron el hito en un acto in situ. El objetivo de este sistema es acelerar el desarrollo y el suministro de DRAM de próxima generación, al tiempo que se refuerza el liderazgo nacional en memoria de IA y se mejora la estabilidad de la cadena de suministro mediante una estrecha colaboración entre socios. Este hito marca el salto de SK Hynix por delante de otros rivales que aún confían en la tecnología EUV de baja resolución.

El sistema TWINSCAN EXE:5200B de ASML ofrece una apertura numérica (NA) aproximadamente un 40 por ciento mayor que su homólogo de baja NA, lo que permite obtener características 1,7 veces más pequeñas con una densidad de transistores aproximadamente 2,9 veces mayor en una sola exposición. La máquina puede alcanzar una resolución sustancial de 8nm, lo que supone una mejora significativa con respecto a la resolución actual de 13nm alcanzada por los sistemas Low-NA. ASML enmarca el hito como "la apertura de un nuevo capítulo".

Inicialmente, SK Hynix planea crear rápidamente prototipos de nuevas estructuras DRAM, incluyendo zanjas de condensadores, líneas de bits y líneas de palabras, para acelerar el desarrollo del nodo. La empresa también tiene previsto simplificar los flujos de proceso EUV existentes para mejorar la competitividad de costes a medida que madure el desarrollo.

Se espera que las futuras DRAM realicen la transición a la EUV de alta AN (en torno a la década de 2030); por tanto, esta herramienta desvía ese camino con antelación. SK Hynix ha ampliado su huella EUV en DRAM desde 2021, y este hito marca el siguiente paso para su producción de DRAM de próxima generación.

Ser una de las primeras empresas en ensamblar sistemas EUV de alta AN en un centro de producción en serie sitúa a SK Hynix por delante de Micron y Samsung, lo que le proporciona una ventaja competitiva en el mercado. ASML había construido anteriormente sistemas High-NA de preproducción (su serie NXE:5000) en la fábrica D1X de Intel, pero la instalación de SK Hynix marca el primer montaje del nuevo sistema EXE:5200B en una fábrica cliente preparada para la producción en serie.

Fuente(s)

SK Hynix (en inglés)

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Nathan Ali, 2025-09- 4 (Update: 2025-09- 4)