Huawei se acerca al nodo de 2 nm sin EUV

Hace unos días, Huawei mostró su primer SoC de 5 nm para smartphones fabricado en el nodo N+3 de SMIC. El Kirin 9030 impulsó la última línea Mate80 de Huawei. Ahora, parece que Huawei está cerca de su próximo avance: los 2 nm. El investigador de semiconductores Dr. Frederick Chen descubrió en la patente de Huawei de 2022, pero no la publicó hasta hace poco; aún no ha sido aprobada.

En ella se habla de utilizar la infraestructura DUV existente para lograr un paso metálico de 21 nm, lo que lo haría equivalente a las ofertas de 2 nm de TSMC y otros. En circunstancias normales, se necesitarían múltiples exposiciones de un láser DUV, pero Huawei ha descubierto la forma de reducirlas a cuatro mediante SAQP (Self-Aligned Quadruple Patterning).

Es comprensible que exista cierto escepticismo en torno a la viabilidad comercial de semejante empresa. Para empezar, sus rendimientos serían demasiado bajos para ser comercialmente viables. Incluso si lo fueran, no se acercarían ni de lejos a las soluciones basadas en EUV.

Un informe anterior afirmaba que China estaba trabajando en herramientas EUV autóctonas y en un nodo de 3 nm con semiconductores basados en nanotubos de carbono. No ha trascendido mucha información al respecto recientemente. Incluso si tiene éxito, no se revelará oficialmente en breve debido al secretismo de China respecto a sus proezas en la fabricación de chips.