La empresa china CXMT logra un importante avance en la producción de chips de memoria HBM3E

Según un nuevo informe de The Information, CXMT, el principal fabricante chino de semiconductores, ha iniciado oficialmente la producción de prueba de la memoria HBM3E. Aunque este logro deja técnicamente a las fundiciones chinas unas dos generaciones por detrás de sus rivales surcoreanos —que ya se están preparando para la transición a la HBM4E—, sigue siendo un enorme paso adelante para la cadena de suministro nacional de chips de China y un hito muy importante en los esfuerzos por reducir la dependencia de las tecnologías occidentales.

Aunque CXMT mantiene en secreto por el momento las especificaciones exactas del silicio HBM3E, las directrices estándar de JEDEC ofrecen una imagen clara de lo que cabe esperar en su interior. Nos encontramos ante una interfaz de 1.024 bits que alcanza velocidades de entre 9,2 y 12,4 Gbps por pin, y la mayoría de las configuraciones estándar se centran en el punto óptimo de 9,6 Gbps. Esto se traduce en un impresionante ancho de banda total de 1,2 TB/s, con capacidades que alcanzan los 24 GB (utilizando pilas de 8 capas) o los 36 GB (mediante pilas de 12 capas). En estos momentos, la «producción de riesgo» implica que los rendimientos de los chips son insignificantes, pero CXMT es conocida por pasar directamente de las primeras pruebas a la producción en masa en un plazo relativamente corto. No sería ninguna sorpresa que la fabricación a gran escala se pusiera en marcha en cuestión de semanas.

Ese ritmo agresivo se extiende también a su huella física. CXMT ha construido a toda prisa salas blancas para sus fábricas en tan solo 12 meses, aproximadamente la mitad del tiempo que suele tardar el resto de la industria de los semiconductores. En la actualidad, la empresa opera dos importantes fábricas de 12 pulgadas en Hefei y Pekín, que producen en conjunto unas 200 000 obleas al mes. Para finales de este año, está previsto que alcancen las 350 000, con un plan para triplicar finalmente su producción actual hasta la asombrosa cifra de 600 000 obleas al mes, una vez que las nuevas instalaciones de Shanghái y Hefei entren en funcionamiento.

Contar con una fuente nacional de HBM sin duda suena muy bien para los planes de China de dominar la carrera de la IA, pero ¿qué ocurre con las capacidades de producción de DRAM para el mercado de consumo? CXMT ha comenzado recientemente a suministrar chips DDR5 para módulos de RAM de consumo, por lo que había esperanzas de que los precios de este tipo de memoria pudieran experimentar por fin una bajada muy necesaria. Sin embargo, dado que la memoria de alto ancho de banda (HBM) requiere apilar múltiples chips de DRAM en un único paquete, su fabricación consume una cantidad ingente de recursos. Si la demanda de HBM impulsada por la IA sigue disparándose, la nueva y creciente capacidad de producción de obleas de CXMT podría verse absorbida por el auge de la memoria de alto ancho de banda. Por lo tanto, los precios de la DRAM estándar podrían estabilizarse o incluso seguir subiendo, al menos durante el resto del año en curso.