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MagyarSamsung anuncia el primer módulo DDR5 de 512 GB del sector
Micron y SK Hynix ya han anunciado sus implementaciones de DDR5 que se espera que se lancen este año de la mano de integradores como ADATA, Team Group o Kingston, y ahora Samsung interviene con el anuncio de su propia versión del estándar DDR5. Como fabricante líder de tecnología de memoria avanzada, Samsung sube la apuesta con los primeros módulos de memoria RAM DDR5 de 512 GB de la industria, diseñados para aplicaciones informáticas de gran ancho de banda. Esta gran capacidad es posible gracias al uso de tecnologías como TSV (through-silicon via) y HKMG (High-K Metal Gate).
Samsung no menciona las frecuencias exactas de los nuevos módulos DDR5 de 512 GB, pero especifica que pueden ofrecer el doble de rendimiento que los módulos DDR4 actuales, con picos de velocidad de 7200 Mbps, lo que debería mejorar en gran medida las transferencias de datos para cargas de trabajo de gran ancho de banda en supercomputación, inteligencia artificial (IA) y aprendizaje automático (ML), así como aplicaciones de análisis de datos.
El proceso HKMG se implementó por primera vez en la memoria GDDR6 de Samsung en 2018. Este tipo de tecnología se suele utilizar para las matrices de los procesadores que se escalan más rápido que cualquier otro componente (ahora ya está en 5 nm, mientras que la memoria RAM está en 10 nm). La DDR5 permite aumentar la capacidad de escalado, pero las capas aislantes tradicionales son demasiado finas, lo que provoca una mayor corriente de fuga. Al sustituir el aislante por el material HKMG, la DDR5 de Samsung podrá reducir las fugas y alcanzar nuevas cotas de rendimiento. Además, el material HKMG reducirá las necesidades energéticas del módulo de memoria RAM en un 13%.
Con la última iteración de TSV, Samsung es capaz de apilar ocho capas de 16 Gb por chip DRAM. Así, cada uno de los chips de DRAM tiene una capacidad de 16 Gb, por lo que la capacidad total de 512 Gb requeriría 32 chips. Sin embargo, las imágenes facilitadas por Samsung muestran que cada módulo integra en realidad 40 chips para un total de 640 GB. 8 de estos chips DRAM se utilizan para ECC (código de corrección de errores), ya que los módulos están diseñados principalmente para centros de datos.
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