Qualcomm Snapdragon 860

La plataforma móvil Qualcomm Snapdragon 860 (SM8150-AC) es un SoC de gama alta para smartphones y tabletas que Qualcomm anunció en 2021. Comparado con el antiguo Snapdragon 855 Plus, el 860 es muy similar y añade soporte para 16 GB de RAM y algunas características de la cámara.

El SoC integra un rápido "Prime Core" que alcanza los 2,96 GHz (frente a los 2,84 GHz del 855) y otros tres rápidos núcleos de rendimiento ARM Cortex-A76, que pueden llegar hasta los 2,42 GHz. Estos núcleos se complementan con cuatro núcleos ARM Cortex-A55 de bajo consumo que alcanzan un máximo de 1,8 GHz.

El SoC también integra el módem X24 LTE que, según promete Qualcomm, ofrece una velocidad máxima de descarga de hasta 2 Gbit/s en LTE Cat.20 y una velocidad de subida de hasta 316 Mbit/s. El Snapdragon 860 puede configurarse también con el nuevo módem X50 5G de la compañía (como chip externo).

El módem Wi-Fi integrado, que está preparado para Wi-Fi 6, tiene un sonido de 8x8 y soporta hasta 802.11 ay Wi-Fi. El módem Wi-Fi puede utilizar la banda de ondas milimétricas de 60 GHz para alcanzar velocidades de Internet de hasta 10 Gbit/s.

El DSP Hexagon 690 incorpora una unidad de procesamiento neural (NPU) con núcleos Tensor dedicados que pueden ejecutar hasta 7 billones de operaciones por segundo junto con la CPU y la GPU. En resumen, el Snapdragon 860 debería ser tres veces más rápido que el Snapdragon 845 y dos veces más rápido que el SoC Kirin 980.

El Snapdragon 860 también cuenta con un ISP Spectra 380 a bordo, que fue la primera pieza del mundo en incorporar un motor de visión por ordenador (CV-ISP) que puede realizar cálculos de profundidad en vídeos de hasta 60 FPS. El Snapdragon 860 debería ofrecer modos de retrato en tiempo real o ser capaz de detectar objetos con un consumo de energía relativamente bajo.

El controlador de memoria integrado admite hasta 16 GB de RAM LPDDR4x (4 x 16 bits). Al igual que el SD855 y el 855+, el 860 integra una tarjeta gráfica Adreno 640.

Qualcomm fabricará el Snapdragon 860 en la Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) utilizando un proceso FinFET de 7 nm.